[发明专利]一种边侧型高倍聚光太阳能热电分离接收器有效
申请号: | 201310541411.7 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN103560158A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 王国祥;王纪盛;刘兰兰 | 申请(专利权)人: | 深圳市昂特尔太阳能投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044 |
代理公司: | 北京市金栋律师事务所 11425 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种边侧型高倍聚光太阳能热电分离接收器,包括衬底基板、三五族化合物半导体多结电池、贴片二极管、接线端子一和接线端子二,三五族化合物半导体多结电池、贴片二极管、接线端子一、接线端子二均位于衬底基板上,三五族化合物半导体多结电池的正极依次连接贴片二极管正极、接线端子一,多三五族化合物半导体多结电池的负极依次连接贴片二极管负极、接线端子二,所述衬底基板包括导热区、绝缘区、电路区和阻焊区,所述的电路区包括第一电路区和第二电路区。本发明通过衬底基板的分层结构和电路区的分区结构将多结电池产生的电量和热量分别导出,实现了热量与电量的分离,解决了高倍聚光太阳能接收器表面结温,散热不易的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 边侧型 高倍 聚光 太阳能 热电 分离 接收器 | ||
【主权项】:
一种边侧型高倍聚光太阳能热电分离接收器,其特征在于:包括衬底基板、三五族化合物半导体多结电池、贴片二极管、接线端子一和接线端子二,所述三五族化合物半导体多结电池、贴片二极管、接线端子一、接线端子二均位于衬底基板上,所述的三五族化合物半导体多结电池的正极连接贴片二极管正极,所述贴片二极管正极连接接线端子一,所述多三五族化合物半导体多结电池的负极连接贴片二极管负极,所述贴片二极管负极连接接线端子二,所述衬底基板包括导热区、绝缘区、电路区和阻焊区,所述导热区、绝缘区、电路区和阻焊区之间依次连接,所述导热区上设置钻石膜形成绝缘区,所述绝缘区上设置铜箔形成电路区,所述三五族化合物半导体多结电池、贴片二极管、接线端子一、接线端子二和衬底基板的电路区通过镀金层连接,所述电路区上的非镀金层区域设置防焊阻剂油墨形成阻焊区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的