[发明专利]一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法，采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上，经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层；用KOH和Zn(NO3)2配制ZnO阵列生长液；将基底生长面（即含有晶种层的面）悬空倒扣浸没于上述生长液中，在20～50℃水浴条件下，反应1～12h，在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。

主权项

一种高度取向ZnO纳米锥阵列结构材料的制备方法，采用湿化学生长方法，利用溶胶凝胶法制备ZnO种子前驱体，然后在基底上涂敷所述的ZnO种子前驱体，形成薄膜，经热处理得到一层均匀的纳米级ZnO晶种层；在反应容器中将基底带有晶种层的面悬空倒扣浸没于ZnO生长溶液中，水浴条件下反应得到ZnO纳米锥阵列；其特征是：所述的ZnO生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的浓度为0.10～0.25mol·L‑1的Zn(OH)42‑水溶液，并控制溶液的pH值在10～12之间。