[发明专利]一种制备透视电镜样品过程中的失效比特定位方法有效
| 申请号： | 201310526550.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103543056A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 高慧敏;张顺勇;张佐兵 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备透射电镜样品过程中的失效比特定位方法，包括以下步骤：步骤一，将样品研磨至第一层金属线的位置；步骤二，将研磨好后的样品放置于聚焦离子束机台内，在离子束下把目标金属线的线列上挖小洞作为标记，所述目标金属线为列地址；步骤三，将机台转换成电子束模式，在高压电子束下持续小电流扫描样品表面，数出行地址，在行地址的目标钨柱附近沉淀铂金；步骤四，将机台调回至离子束下，在铂金附近扫挖，使目标钨柱露出；步骤五，在列地址和行地址的交叉处确定比特地址，用离子束在比特地址处镀上铂金保护层。本发明极大的缩短数地址时间，使失效比特地址的寻找变得方便快捷，大量节约时间和机台资源，避免对芯片本身的人为破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 透视 样品 过程 中的 失效 比特 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种制备透视电镜样品过程中的失效比特定位方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将样品研磨至第一层金属线的位置；步骤二，将研磨好后的样品放置于聚焦离子束机台内，在离子束下把目标金属线的线列上挖小洞作为标记，所述目标金属线为列地址；步骤三，将机台转换成电子束模式，在高压电子束下持续小电流扫描样品表面，数出行地址，并在行地址的目标钨柱附近沉淀铂金；步骤四，再将机台调回至离子束下，在铂金附近扫挖，使得目标钨柱露出；步骤五，在列地址和行地址的交叉处确定比特地址，用离子束在比特地址处镀上铂金保护层。
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