[发明专利]基于硅谐振式传感器的压力生成方法在审

专利信息
申请号: 201310503082.7 申请日: 2013-10-23
公开(公告)号: CN104568289A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 刘海东;李彬;王斌;张金盛;窦小明;刘莉;赵佳媚;李亮;张银辉 申请(专利权)人: 北京临近空间飞行器系统工程研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01L19/04
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅;刘昕宇
地址: 100076 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于压力生成方法,具体涉及一种基于硅谐振式传感器的压力生成方法。它包括:步骤一:数据采集,步骤二:数据转换,步骤三:计算最终输出的压力值P。使用本发明的效果是:①与传统压力测量传感器相比,具有较高测量精度。总压在1MPa量程内不超过300Pa,静压在500KPa量程内不超过120Pa。②基于本方法,硅谐振式传感器可在(-40,60)℃的范围内进行高精度压力测量。
搜索关键词: 基于 谐振 传感器 压力 生成 方法
【主权项】:
一种基于硅谐振式传感器的压力生成方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤一:数据采集由硅谐振传感器采集压力信息,该压力信息以频率的形式被输出,同时硅谐振传感器还采集实时的温度数据,步骤二:数据转换硅谐振传感器以频率形式输出的压力信息被转换为脉冲计数;硅谐振传感器输出的模拟信号的温度信息被转换数字信号形式,步骤三:计算用下述公式计算压力值x=fi-f‾---(1)]]>P=k11x+k12xy+k13xy2+k14xy3+k15xy4+k16xy5+k21x2+k22x2y+k23x2y2+k24x2y3+k25x2y4+k26x2y5+k31x3+k32x3y+k33x3y2+k34x3y3+k35x3y4+k36x3y5                                       (3)+k41x4+k42x4y+k43x4y2+k44x4y3+k45x4y4+k46x4y5+k51x5+k52x5y+k53x5y2+k54x5y3+k55x5y4+k56x5y5其中,fi是硅谐振传感器输出的频率信号,为选定的硅谐振传感器振动频率基准,是硅谐振传感器最大量程的一半对应的数值,U温i是转换为数字信号的温度信息值,是温度20℃时硅谐振传感器输出的温度信息值,系数k11~k56分别为:k111.01325k12‑0.00243k13‑0.72358k142.33162k15‑0.43251k160.00326k212.14302k22‑0.32446k230.32854k24‑0.99864k250.00134k26‑0.23146k310.98633k321.30105k330.43882k340.06102k350.02214k360.00974k41‑0.05241k420.02571k430.00963k44‑0.00701k450.00385k46‑0.00013k510.00032k52‑0.00021k530.00001k54‑0.00001k550.00011k56‑0.00024P就是最终输出的压力值。
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