[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线，薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅电极和源漏电极；公共电极线与栅电极同层设置，且公共电极线具有第一过孔；源漏电极中的漏电极贯穿第一过孔与有源层电性连接，且漏电极与公共电极线相互绝缘；公共电极线在衬底基板的正投影与漏电极在衬底基板的正投影至少部分重叠。与现有的阵列基板相比，该阵列基板可以在公共电极线与漏电极之间形成存储电容，起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率、以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果。

主权项

一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线，所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、多个栅电极和源漏电极，其特征在于：所述公共电极线与所述栅电极同层设置，且所述公共电极线具有第一过孔；所述源漏电极中的漏电极贯穿所述第一过孔与所述有源层电性连接，且所述漏电极与所述公共电极线相互绝缘；所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述漏电极在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述有源层中还设置有重掺杂区和轻掺杂区，其中所述重掺杂区分别位于所述有源层与所述源漏电极对应的区域，所述轻掺杂区位于所述重掺杂区之间，且分布在所述栅电极对应的区域的两侧；且所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述重掺杂区和所述轻掺杂区在所述衬底基板的正投影均不重叠。