[发明专利]一种IGBT驱动电路

摘要

一种IGBT驱动电路，涉及IGBT驱动技术。它为了解决目前串联IGBT驱动电路在满足驱动信号一致的前提下，驱动信号的脉宽窄的问题。本发明利用铁氧体磁环伏秒积为常数的特性来保证驱动信号的一致性，当驱动信号的正极性脉冲结束时，电容C提供IGBT驱动信号的续流，电压缓慢下降，驱动信号的脉宽增大100倍，使IGBT驱动电路的脉宽摆脱了铁氧体磁环伏秒积的限制。本发明适用于宽脉宽电源的驱动。

主权项

一种IGBT驱动电路，包括铁氧体磁环(1)，其特征在于：它还包括P型MOSFET Q1、第一三极管Q2、第二三极管Q3、第一二极管D1、第二二极管D2、续流电路(2)、稳压电路(3)、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7，所述铁氧体磁环(1)的输出端的一个端子同时连接第一二极管D1的正极、P型MOSFETQ1的源极和第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端连接P型MOSFET Q1的栅极，第一电阻R1与P型MOSFET Q1的公共端连接第二电阻R2的一端，所述续流电路(2)与稳压电路(3)并联构成并联第一支路，第二二极管D2与第四电阻R4并联，第一二极管D1的负极同时连接P型MOSFET Q1的漏极、第一并联电路的一端、第二二极管D2的正极、第五电阻R5的一端和第一三极管Q2的基极，铁氧体磁环(1)的输出端的另一个端子同时连接第二电阻R2的另一端、第一并联电路的另一端、第二三极管Q3的发射极和第七电阻R7的一端，第五电阻R5的另一端连接第二三极管Q3的集电极，第一三极管Q2的发射极连接第二二极管D2的负极，所述第一三极管Q2的集电极连接第六电阻R6的一端，所述第六电阻R6的另一端同时连接第二三极管Q3的基极和第七电阻R7的另一端，第二二极管D2的负极与第四电阻R4的公共端为所述一种IGBT驱动电路的驱动信号输出端，所述驱动信号输出端用于连接IGBT的栅极，铁氧体磁环(1)与第二电阻R2的公共端用于连接IGBT的源极。