[发明专利]多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺有效

专利信息
申请号: 201310467811.8 申请日: 2013-10-10
公开(公告)号: CN103474518A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 陆中丹;石建华 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 常州市科谊专利代理事务所 32225 代理人: 孙彬
地址: 213022 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺,多孔金字塔减反射结构制备方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。本发明能够降低衬底的反射率,从而提高短路电流密度的同时提高了衬底的钝化效果,适当地提高了电池的开路电压,提高了电池的转换效率。
搜索关键词: 多孔 金字塔 反射 结构 制备 方法 hit 太阳能电池 工艺
【主权项】:
一种多孔金字塔减反射结构制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构,并通过控制刻蚀的时间,控制多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,使多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小控制在0.8~2微米,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。
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