[发明专利]多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺有效
申请号: | 201310467811.8 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN103474518A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 陆中丹;石建华 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺,多孔金字塔减反射结构制备方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。本发明能够降低衬底的反射率,从而提高短路电流密度的同时提高了衬底的钝化效果,适当地提高了电池的开路电压,提高了电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 多孔 金字塔 反射 结构 制备 方法 hit 太阳能电池 工艺 | ||
【主权项】:
一种多孔金字塔减反射结构制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构,并通过控制刻蚀的时间,控制多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,使多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小控制在0.8~2微米,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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