[发明专利]测定微量铬（Ⅲ）的离子选择性电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310450375.3 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103499626A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 朱伟;崔普选 | 申请（专利权）人： | 神华集团有限责任公司;中国神华煤制油化工有限公司;陕西神木化学工业有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测定微量铬（Ⅲ）的离子选择性电极及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：S1、合成邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱；以及S2、采用掺杂邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备离子选择性电极。通过合成邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱，并采用含有邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备出测定微量铬（Ⅲ）的离子选择性电极。该工艺操作简单，且采用该方法制备出的离子选择性电极对微量铬（Ⅲ）的离子选择性好、灵敏度高、线性范围宽、检出限低且电极使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 微量 离子 选择性 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种测定微量铬（Ⅲ）的离子选择性电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、合成邻香草醛缩‑1,3‑二氨基硫脲席夫碱；以及S2、采用掺杂所述邻香草醛缩‑1,3‑二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备所述离子选择性电极。
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