[发明专利]一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310446607.8 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103708848A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 郝喜红;赵烨;刘云颖;李晓伟;杨吉春;安胜利 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B35/493;C04B35/622 |
| 代理公司： | 包头市专利事务所 15101 | 代理人： | 庄英菊 |
| 地址： | 014010 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合结构高电能密度厚膜及其制备方法，属于电子功能材料与器件领域。为提高反铁电厚膜的储能密度，本发明制备得到表面覆盖ZnO覆盖层的锆酸铅基反铁电复合厚膜材料，使制得的复合结构的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的储能密度和介电常数，又具有较低的介电损耗，能够在高功率大容量电容器中得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 结构 电能 密度 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合结构高电能密度厚膜，其特征在于，达到所需厚度的锆酸铅基反铁电厚膜进行退火处理之前，在其表面覆盖ZnO覆盖层。
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