[发明专利]卡盘工作台在审
申请号: | 201310445016.9 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103715127A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 饭塚健太吕;寺岛将人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够适当保持具有翘曲的被加工物的卡盘工作台。一种保持被加工物(W)的卡盘工作台(15),其特征在于,具有:吸附部(153),其具有吸引保持被加工物的吸附面(153a);以及环状密封部(154),其以围绕吸附部的周围的方式由弹性部件形成,且支撑被加工物的外周部分(W2),吸附部与使吸附面产生吸引力的负压生成源连接,环状密封部形成为上表面(154a)的高度比吸附面高,并且形成为:在吸引保持被加工物时,从被加工物和吸附面的间隙泄漏的负压作用于由被加工物的外周部分与环状密封部抵接而成的空间而使被加工物变形,从而表面处于同一平面。 | ||
搜索关键词: | 卡盘 工作台 | ||
【主权项】:
一种卡盘工作台,是在对板状的被加工物实施加工的加工装置中将被加工物保持在上表面上的卡盘工作台,上述卡盘工作台的特征在于,具有:吸附部,其具有在上表面上吸引保持被加工物的吸附面;以及环状密封部,其围绕上述吸附部的周围而形成为环状,且由支撑被加工物的外周侧的弹性部件形成,上述吸附部与在上述吸附面生成负压的负压生成源连通,上述环状密封部的表面高度与被加工物的翘曲对应地形成为比上述吸附面的表面高度高,在吸引保持被加工物时,由于被加工物的翘曲而产生从被加工物外周与上述吸附面间的间隙泄漏的负压,通过被加工物外周与上述环状密封部抵接,该泄漏的负压被密封,该泄漏的负压作用于被加工物外周而使上述弹性部件变形,从而被加工物以与上述吸附面处于同一平面的状态被吸引保持。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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