[发明专利]磁共振成像装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310438793.0 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103654787A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 崔胜齐;朴东瑾;黄圭完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种磁共振成像（MRI）方法和装置，其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称。该结构在偏离静磁场线圈单元和梯度线圈单元的同心布置时允许涡流电流的对称布置。MRI装置包括：静磁场线圈单元，配置为在目标中形成静磁场；梯度线圈单元，配置为在静磁场中形成梯度场；和一个或多个导体，安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中，并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。 | ||
| 搜索关键词： | 磁共振 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁共振成像装置，包括：静磁场线圈单元，配置为在目标中形成静磁场；梯度线圈单元，配置为在所述静磁场中形成梯度场；和一个或多个导体，安装在所述静磁场线圈单元和所述梯度线圈单元之间的空间中，并且被配置为使所述静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。
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