[发明专利]利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法有效
| 申请号： | 201310432467.9 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103474381A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵开乾;何虎;林晓瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，包括：利用机械手将晶片布置在边缘配置有梯形导槽的热板；利用热板的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板的温度；比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片的放置出现异常；在判定晶片的放置出现异常时，使机台发出警告信息。根据本发明，可以在高温腔体的热板内，安装多个温度传感器，实时监测各个位置的温度。在晶片进入腔体内处理的过程中，通过各个温度传感器温度的变化，判断晶片位置是否正常。由此，当晶片在高温腔体内出现位置偏差时，可以及时警报提示工程师，减少位置偏差而引起的不良良率问题。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 温度 差异 监测 晶片 高温 位置 偏差 方法 | ||
【主权项】：
一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于包括：第一步骤：利用机械手将晶片布置在边缘配置有梯形导槽的热板；第二步骤：利用热板的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板的温度；第三步骤：比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片的放置出现异常。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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