[发明专利]一种具有双面亚微米级结构的OLED的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有双面亚微米级结构的OLED的制造方法，属于OLED制造技术领域，包括以下步骤：1）在石英基片的双面同时旋涂单层二氧化硅纳米球；2）以排布好的单层二氧化硅纳米球为掩膜，在石英基片的双面刻蚀亚微米级图形结构；3）在具有亚微米图形结构的石英基片上均匀旋涂一层ITO导电薄膜，得到OLED阳极；4）在OLED阳极上依次蒸镀空穴输送层，蒸镀发光层和电子运输层，最后蒸镀阴极，得到具有双面亚微米级结构的OLED。本发明制得的石英基底含有双面结构的OLED器件，其出光模型接近于朗伯体，没有谱线偏移和明显的角度依赖性，在提升器件光萃取效率的同时无性能的退化。

主权项

一种具有双面亚微米级结构的OLED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在石英基片的双面同时旋涂单层二氧化硅纳米球；2）以排布好的单层二氧化硅纳米球为掩膜，在排布好二氧化硅纳米球的石英基片的双面刻蚀亚微米级图形结构；3）在具有亚微米图形结构的石英基片上均匀旋涂一层ITO导电薄膜，得到OLED阳极；4）在OLED阳极上依次蒸镀空穴输送层，蒸镀发光层和电子运输层，最后蒸镀阴极，得到具有双面亚微米级结构的OLED。