[发明专利]低噪声放大器在审
| 申请号： | 201310419522.0 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103475314A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李琛;蒋宇;吕本强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声放大器，其包括输入阻抗匹配电路、放大电路和输出阻抗匹配电路，其中所述输入阻抗匹配电路，其包含有源电感电路，用于匹配不同频率下的输入阻抗，其包括：第一NMOS管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS管，其漏极连接第二电流源及第一NMOS管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与第二NMOS管的源极相连，栅极与第一NMOS管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS管，其漏极与第二NMOS管的栅极以及第一电流源相连，栅极与第三NMOS管源极相连，漏极接地；放大电路与有源电感电路及输出阻抗匹配电路相连。本发明的低噪声放大器可在不同频率下，实现信号放大。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种基于有源电感的低噪声放大器，其包括输入阻抗匹配电路、放大电路和输出阻抗匹配电路，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路包含有源电感电路，用于匹配不同频率下的输入阻抗，所述有源电感电路包括：第一NMOS晶体管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS晶体管，其漏极连接第二电流源及所述第一NMOS晶体管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的源极相连，栅极与所述第一NMOS晶体管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极以及第一电流源相连，栅极与所述第三NMOS晶体管的源极相连，漏极接地；所述放大电路与所述有源电感电路及所述输出阻抗匹配电路相连，其包含共源共栅结构的第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管，所述第五NMOS晶体管的栅极接所述低噪声放大器的信号输入端，所述第六NMOS晶体管的漏极接所述第一NMOS晶体管的源极及所述输出阻抗匹配电路的输入端以及第四电流源。
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