[发明专利]一种钨、氧晶格点位存在替代式杂原子的钨青铜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于化工领域与材料领域中的钨青铜制备及其应用，特别涉及W、O晶格点位存在替代式杂原子的钨青铜粉体，及其制备方法和应用；所要解决的技术问题是提供进一步提升钨青铜中自由电子的浓度及透明隔热性能、有效调控钨青铜材料的禁带宽度，并有效降低该材料的水热制备难度的技术方案；具体方案为钨青铜的化学通式为M1xW1-yM2yO3-z-tnMt，通式中M2为化学价+3、+4或+5的阳离子，以代替式原子的形式存在于钨青铜晶格中占据W的晶格点位；通式中nM为化学价-1的非金属元素的阴离子，以代替式原子的形式存在于钨青铜晶格中占据O的晶格点位；本发明的钨青铜粉体或钨青铜分散液制备成本低、性能优良，用途广泛。

主权项

一种钨、氧晶格点位存在替代式杂原子的钨青铜，其特征在于：所述钨青铜的化学通式为M1xW1‑yM2yO3‑z‑tnMt；所述通式中W为钨，O为氧；所述通式中M1为化学价+1或+2 的阳离子，为碱金属阳离子、碱土金属阳离子、H+、NH4+、Sn2+、Tl+、Bi+、Bi2+的任意组合，且其处于钨青铜晶格中WO6八面体框架间的三方、四方或六方空隙位；所述通式中M2为化学价+3、+4或+5的阳离子，为元素周期表中第三到第七副族中除W以外的任意元素、Zn、Sn、Mo、Sb、In、Ti、Ni的阳离子组合，且以代替式原子的形式存在于钨青铜晶格中占据W的晶格点位；所述通式中nM为化学价‑1的非金属元素的阴离子，为元素周期表中第七主族中的任意元素的阴离子组合，且以代替式原子的形式存在于钨青铜晶格中占据O的晶格点位；所述通式中参数满足0.5≥x≥0，0.5≥y≥0，0.3≥z≥0，0.5≥t≥0且0.5≥y+t＞0。