[发明专利]一种碳纳米管连续生长装置有效
申请号: | 201310398408.4 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN104418317A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 任昕;边历峰;朱建军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括:加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面;加热装置,对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的,反应气体由多孔基板上部通入,经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中,保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地,在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长,在重力的作用下,生长速度较垂直向上生长时增大,从而达到了连续快速生长的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 连续 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管连续生长装置,包括基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,其特征在于:所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面。
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