[发明专利]磁传感器及其制备工艺

摘要

本发明揭示了一种磁传感器及其制备工艺，所述制备工艺包括在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；在第一介质层上形成沟槽阵列；沟槽开口处的宽度大于其深度；沉积磁材料，形成磁材料层；在磁场中进行退火；沉积绝缘材料，形成绝缘材料层，并且把沟槽填实，抛光使绝缘材料层表面平坦化，使得后续转变成平面工艺；生成磁传感器的图形，形成感应单元，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；制造通孔和电极。本发明提出的三轴传感器及其制备工艺，可优化工艺的流程，并提升传感器的性能。

主权项

一种磁传感器的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括第三方向磁传感装置的制备工艺，具体包括如下步骤：步骤S1、在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；步骤S2、在第一介质层上形成沟槽阵列；沟槽开口处的宽度大于等于其深度；步骤S3、在所述形成沟槽阵列的第一介质层上沉积一层或者多层与所述第一介质材料相同或者不同的第二介质材料，形成第二介质层；所述第二介质材料为氧化硅、TEOS、氮化硅、氧化钽、氮化钽、氮氧化硅中的一种或多种；第二介质层的厚度少于100纳米；步骤S4、沉积磁材料，形成磁材料层；步骤S5、在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空；步骤S6、沉积绝缘材料，把沟槽填实，随后进行平坦化工艺，使得后续转变成平面工艺；步骤S7、生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间有缝隙，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；步骤S8、制造通孔和电极。