[发明专利]石墨烯的低折射率差波导调制器及制备方法无效
| 申请号： | 201310380432.5 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103439807A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 尹伟红;韩勤;杨晓红;李彬;崔荣;吕倩倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底上；一波导芯层，其制作在下包层上的中间部位，形成脊形结构；一ITO透明电极，其制作在波导芯层上及两侧，并覆盖暴露的下包层的上表面；一下绝缘介质层，其制作在ITO下电极的表面，该脊形结构的一侧，该绝缘介质层为断开状，形成一窗口；一单层石墨烯薄膜，其制作在下绝缘介质层上；一金属电极，其制作在脊形结构一侧，远离窗口的另一侧的单层石墨烯薄膜上，该金属电极与脊形结构有一预定距离，该距离大于800nm；一上绝缘介质层，其制作在脊形结构上的单层石墨烯薄膜上；一高折射率氧化硅层，其制作在上绝缘介质层上。本发明具有体积小、调制带宽宽、插入损耗小和制备工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 折射率 波导 调制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底上；一波导芯层，其制作在下包层上的中间部位，形成脊形结构；一ITO透明电极，其制作在波导芯层上及两侧，并覆盖暴露的下包层的上表面；一下绝缘介质层，其制作在ITO下电极的表面，该脊形结构的一侧，该绝缘介质层为断开状，形成一窗口；一单层石墨烯薄膜，其制作在下绝缘介质层上；一金属电极，其制作在脊形结构一侧，远离窗口的另一侧的单层石墨烯薄膜上，该金属电极与脊形结构有一预定距离，该距离大于800nm；一上绝缘介质层，其制作在脊形结构上的单层石墨烯薄膜上；一高折射率氧化硅层，其制作在上绝缘介质层上。
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