[发明专利]铜基超疏水表面结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310375277.8 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103406248A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 章桥新;陈玉雪;黄行九 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B05D5/08 | 分类号： | B05D5/08;B05D3/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 周艳红 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种铜基超疏水表面结构的制备方法，主要包括：第一步，对金属铜基底预处理；第二步，将第一步处理好的铜基底表面旋涂一层光刻胶，通过光刻处理使附着在铜基底表面的光刻胶层形成有序多孔阵列模板；第三步，以第二步制得的带有有序多孔阵列模板的铜基底为正极，浸入CuSO4溶液中构成原电池反应4～8min；第四步，将第三步原电池反应后的铜基底浸入AgNO3溶液中原位还原30～70s；第五步，将经过第四步反应后的铜基底进行表面硅烷化处理，制得铜基超疏水表面结构。本发明利用简单的两步氧化还原过程在铜金属表面得到一层具有类似荷叶表面的微纳米双尺度结构，实现了疏水性，制备的超疏水性表面性能稳定，对pH值为1-14之间的水溶液接触角可达155°以上，滚动角最小可小于1.5°。 | ||
| 搜索关键词： | 铜基超 疏水 表面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜基超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，主要包括如下步骤：第一步，对金属铜基底预处理；第二步，将第一步处理好的铜基底表面旋涂一层光刻胶，通过光刻处理，使附着在铜基底表面的光刻胶层形成有序多孔阵列模板；第三步，以第二步制得的带有有序多孔阵列模板的铜基底为正极，浸入CuSO4溶液中构成原电池反应4～8min；第四步，将第三步原电池反应后的铜基底浸入AgNO3溶液中原位还原30～70s；第五步，将经过第四步反应后的铜基底进行表面硅烷化处理，制得铜基超疏水表面结构。
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