[发明专利]高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪

摘要

本发明提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，其特征包括：3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路；所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成。本发明所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。

主权项

一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，它包括3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、晶体管测试接口和万用表接口电路，其特征在于：所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成，NPN型晶体管VT1的基极通过电阻R1接电位器RP的一端，电位器RP的另一端及其活动端接高频变压器T初级线圈L1的异名端，NPN型晶体管VT1的集电极接初级线圈L2的同名端，高频变压器T初级线圈L2的异名端和初级线圈L1的同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成，高频变压器T的升压线圈L3的同名端接快恢复二极管Dl的正极，快恢复二极管Dl的负极接高压瓷片电容C2的一端和限流电阻R2的一端，高频变压器T的升压线圈L3的异名端接高压瓷片电容C2的另一端；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成，接线柱TX1和接线柱TX3接限流电阻R2的另一端和500型万用表的正表笔，接线柱TX2和接线柱TX4接高频变压器T的升压线圈L3的异名端和500型万用表的负表笔；所述的3V直流电源正极通过电源开关SW接电路正极VCC和电解电容C1的正极，3V直流电源负极接电路地GND和电解电容C1的负极。