[发明专利]晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201310371345.3 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103433233A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料，在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；同时，由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 浆料 清洗 方法 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成所述步骤S1的硅片进行清洗。
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