[发明专利]静电防护元件及其制造方法

摘要

本发明一种静电防护组件及其制造方法。该静电防护组件至少包括设置于P型基底上的二N型金属氧化物半导体(N‑Metal Oxide Semiconductor，NMOS)；每一NMOS包括栅极、源极与漏极，其中该源极与漏极形成于该栅极的两侧；该静电防护组件还包括注入漏极外侧的高浓度掺杂，且该高浓度掺杂与该P型基底形成PN结。

主权项

一种静电防护元件，至少包括：设置于P型基底上的两个NMOS，每一个NMOS包括栅极、源极与漏极，其中该源极与漏极形成于该栅极的两侧；其特征在于：该P型基底中形成N型阱，该N型阱中形成两个P型阱，该两个P型阱中各形成一个第一N+掺杂区以分别形成该两个NMOS的源极；该两个P型阱之间形成一个第二N+掺杂区以形成该两个NMOS的漏极；该栅极形成在该N型阱中；该静电防护元件还包括N型高浓度掺杂区，该N型高浓度掺杂区为包围该两个P型阱的环形区域，位于该N型阱中，并与该P型基底形成PN结。