[发明专利]太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺在审
| 申请号： | 201310349175.9 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103390696A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 汪昭辉;郭文林;张盛杰;杨健;吴宇;庞益静 | 申请（专利权）人： | 江苏宇兆能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 215431 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺，包括以下步骤：步骤一：将要刻蚀的硅片置于功率电极上；步骤二：关闭反应室，充入反应所需的气体；步骤三：设置反应参数，射频功率、反应气体压强和反应时间；步骤四：运行设备开始腐蚀工艺；步骤五：结束腐蚀工艺，取出腐蚀后的硅片。该工艺能够实现在多晶硅产业化上的应用，并能够有效地降低多晶硅表面的反射率，提高多晶硅电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 表面 结构 rie 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将要刻蚀的硅片置于功率电极上；步骤二：关闭反应室，充入反应所需的气体；步骤三：设置反应参数，射频功率、反应气体压强和反应时间；步骤四：运行设备开始腐蚀工艺；步骤五：结束腐蚀工艺，取出腐蚀后的硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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