[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201310345291.3 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103579227B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朴常镐;姜秀馨;沈栋*;姜闰浩;柳世桓;李玟贞;李镕守 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管基板，包括：基底基板；有源图案，设置在基底基板上；栅绝缘图案，设置在有源图案上；栅电极，设置在栅绝缘图案上并交叠沟道；和光阻挡图案，设置在基底基板与有源图案之间并具有大于有源图案的尺寸。有源图案包括源电极、漏电极、和在源电极与漏电极之间的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 源图案 基底基板 薄膜晶体管基板 栅绝缘图案 漏电极 源电极 沟道 光阻挡 栅电极 交叠 图案 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括：基底基板；有源图案，在所述基底基板上并包括源电极、漏电极、和在所述源电极与所述漏电极之间的沟道；栅绝缘图案，在所述有源图案上；栅电极，在所述栅绝缘图案上并交叠所述沟道；以及光阻挡图案，在所述基底基板与所述有源图案之间并具有大于所述有源图案的平面尺寸，其中在平面图中，所述光阻挡图案的边缘与所述栅电极的边缘和所述有源 图案的边缘重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310345291.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
