[发明专利]一种太阳能电池片制绒用腐蚀槽的控制方法有效
| 申请号： | 201310336233.4 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103426801A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 孙双庆;康建宁;魏双双;马宏力 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池片制绒用腐蚀槽的控制方法，涉及改变半导体材料的表面物理特性或形状的方法技术领域。包括以下步骤：（1）设定腐蚀槽的温度为X摄氏度；（2）采集当前腐蚀槽的实际温度为Y摄氏度；（3）根据不同的腐蚀液设定一个系数α；（4）设定腐蚀槽滚轮运动的初始速度为V1米/分钟；（5）控制腐蚀槽滚轮运动的实际速度为V2米/分钟，V2=V1+α(Y-X)。所述方法对腐蚀槽的速度进行控制，使腐蚀槽滚轮运动的速度实时受到腐蚀槽实际温度的控制，从而达到工艺稳定的目的，提高了电池片的质量和光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 片制绒用 腐蚀 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片制绒用腐蚀槽的控制方法，其特征在于包括以下步骤：（1）设定腐蚀槽的温度为X摄氏度；（2）采集当前腐蚀槽的实际温度为Y摄氏度；（3）根据不同的腐蚀液设定一个系数α；（4）设定腐蚀槽滚轮运动的初始速度为V1米/分钟；（5）控制腐蚀槽滚轮运动的实际速度为V2米/分钟，V2= V1+α(Y‑X)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源（中国）有限公司，未经英利能源（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310336233.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成盒腔体抽真空装置以及对盒装置
- 下一篇：一种集成式汽车转向泵
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
