[发明专利]一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法

摘要

本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si3N4薄膜，其制备工艺为：在AlGaN基紫外探测器表面和台面侧面采用感应耦合等离子体化学气相沉积方法沉积双层Si3N4薄膜，首先沉积一层应力与AlGaN层应力相近的下层Si3N4薄膜，然后沉积一层致密的上层Si3N4薄膜，待上述双层膜沉积以后通过光刻和刻蚀工艺保留器件表面和台面侧面的Si3N4双层膜。本发明实现了AlGaN基紫外探测器中钝化膜的低应力、高致密度、耐腐蚀的优势。

主权项

一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底（1）上依次为AlN缓冲层（2）、n型AlGaN层（3）、i型AlGaN层（4）、p型AlGaN层（5）、下层Si3N4钝化膜（8）、上层Si3N4钝化膜（9），n欧姆接触电极（6）位于n型AlGaN层（3）上，p欧姆接触电极（7）位于p型AlGaN层（5）上，其特征在于，在AlGaN基紫外探测器的结构的台面表面以及台面侧面有两层钝化膜，即下层Si3N4钝化膜（8）和上层Si3N4钝化膜（9）；所述的下层Si3N4钝化膜（8）的膜厚为1000‑2000埃，所述的上层Si3N4钝化膜（9）的膜厚为2000‑3000埃。