[发明专利]检测件和晶圆有效
申请号: | 201310315240.6 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103400824A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 胡勇;于涛 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种检测件和包括所述检测件的晶圆。所述检测件设置于包括器件区和检测区的晶圆上,所述器件区用于形成半导体器件,所述半导体器件包括位于衬底上的第一栅极和第二栅极;所述检测件位于所述检测区,用于对所述半导体器件进行检测,包括:检测有源区,所述检测有源区与所述半导体器件相对应;第一检测栅极,位于所述检测有源区上,与所述第一栅极相对应;第二检测栅极,位于所述检测有源区上,与所述第二栅极相对应;第一检测连接线,与所述第一检测栅极相连;第二检测连接线,与所述第二检测栅极相连。本发明能够减小漏电流产品漏检的几率,提高检测精度。 | ||
搜索关键词: | 检测 | ||
【主权项】:
一种检测件,设置于包括器件区和检测区的晶圆上,所述器件区用于形成半导体器件,所述半导体器件包括位于衬底上的第一栅极和第二栅极;所述检测件位于所述检测区,用于对所述半导体器件进行检测,其特征在于,包括:检测有源区,所述检测有源区与所述半导体器件相对应;第一检测栅极,位于所述检测有源区上,与所述第一栅极相对应;第二检测栅极,位于所述检测有源区上,与所述第二栅极相对应;第一检测连接线,与所述第一检测栅极相连;第二检测连接线,与所述第二检测栅极相连。
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