[发明专利]一种平面固态超级电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201310311940.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103413694A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 史方;王晓晨;周洁;孔令宇;潘毅;虞磊;韩建林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面固态超级电容器的制备方法，在标准硅晶圆上使用半导体器件制造工艺中标准的化学气相沉积法、物理气相沉积法、沟槽刻蚀法、化学机械抛光法、基于硅通孔三维法等方法，制造以SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或几种组成的组合物为核心、与标准半导体器件相兼容的平面固态超级电容器，具有低成本、节能环保、适合大规模制造的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 固态 超级 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面固态超级电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对硅晶片表面进行预处理：使用3wt%的氟化氢溶液浸渍硅晶片表面，然后用蒸馏水清洗；（2）使用化学气相沉积法对硅晶片进行二氧化硅镀膜，镀膜温度300～700℃，镀膜厚度为0.1～1微米；（3）对二氧化硅层进行光刻；（4）使用等离子法对微沟槽刻蚀，刻蚀温度为200～500℃；（5）制备电荷存储层：采用原子气相沉积法沉积由SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或几种组成的组合物，沉积温度为200～500℃；（6）使用化学机械抛光法使表面平整化，去除表面多余的高介电膜及二氧化硅保护层；（7）使用化学气相沉积法进行二氧化硅镀膜；（8）对二氧化硅层进行光刻；（9）上电极制备：采用物理气相沉积法或磁控溅射法沉积上电极，制备温度为200～500℃，金属电极材料为铝；（10）使用化学机械抛光法对硅晶片进行背面减薄，最终晶片厚度为50～500微米；（11）下电极制备：采用物理气相沉积法或磁控溅射法沉积下电极，制备温度为200～500℃，金属电极材料为铝；（12）三维叠层封装：使用硅通孔三维法将分立式的单层平面固态超级电容器在三维方向叠层封装。
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