[发明专利]一种激光供能微型GaAs电池有效

专利信息
申请号: 201310308779.9 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN104332479B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 梁存宝;杜永超;肖志斌 申请(专利权)人: 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/0465 分类号: H01L31/0465;H01L31/0352;H01L31/02
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种激光供能微型GaAs电池,包括串联成一体的复数个子电池,其特点是所述子电池包括在衬底上面自下至上依次生长的p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑GaAs窗口层、n‑GaAs基区层、p‑GaAs发射层、p‑GaAs窗口层和p‑GaAs重掺层构成的P‑N‑N‑P反结外延结构。本发明通过在GaAs衬底上面外延出PN和NP形成的P‑N‑N‑P反结外延结构,使衬底和p‑GaAs反结层形成了反偏电压,起到了电流截止的作用,解决了单元电池间的物理隔离造成底部漏电流的问题,有效减小了电池底部的漏电流,并且外延层很薄,外形尺寸为2.2×2.2mm,适合于激光供能。
搜索关键词: 一种 激光 微型 gaas 电池
【主权项】:
一种激光供能微型GaAs电池,包括串联成一体的复数个子电池,其特征在于:所述子电池包括在衬底上面自下至上依次生长的p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑GaAs窗口层、n‑GaAs基区层、p‑GaAs发射层、p‑GaAs窗口层和p‑GaAs重掺层构成的P‑N‑N‑P反结外延结构;子电池的上电极制于p‑GaAs重掺层上,子电池的下电极制于下电极区域,所述下电极区域为去掉P‑N‑N‑P反结外延结构中部分p‑GaAs重掺层、p‑GaAs窗口层、p‑GaAs发射层、n‑GaAs基区层和n‑GaAs窗口层露出的n‑GaAs缓冲层;露出衬底的隔离槽形成在一子电池的下电极结构与相邻的上电极结构之间。
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