[发明专利]一种激光供能微型GaAs电池有效
申请号: | 201310308779.9 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN104332479B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 梁存宝;杜永超;肖志斌 | 申请(专利权)人: | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465;H01L31/0352;H01L31/02 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种激光供能微型GaAs电池,包括串联成一体的复数个子电池,其特点是所述子电池包括在衬底上面自下至上依次生长的p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑GaAs窗口层、n‑GaAs基区层、p‑GaAs发射层、p‑GaAs窗口层和p‑GaAs重掺层构成的P‑N‑N‑P反结外延结构。本发明通过在GaAs衬底上面外延出PN和NP形成的P‑N‑N‑P反结外延结构,使衬底和p‑GaAs反结层形成了反偏电压,起到了电流截止的作用,解决了单元电池间的物理隔离造成底部漏电流的问题,有效减小了电池底部的漏电流,并且外延层很薄,外形尺寸为2.2×2.2mm,适合于激光供能。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 微型 gaas 电池 | ||
【主权项】:
一种激光供能微型GaAs电池,包括串联成一体的复数个子电池,其特征在于:所述子电池包括在衬底上面自下至上依次生长的p‑GaAs反结层、i‑GaAs非掺杂层、n‑GaAs缓冲层、n‑GaAs窗口层、n‑GaAs基区层、p‑GaAs发射层、p‑GaAs窗口层和p‑GaAs重掺层构成的P‑N‑N‑P反结外延结构;子电池的上电极制于p‑GaAs重掺层上,子电池的下电极制于下电极区域,所述下电极区域为去掉P‑N‑N‑P反结外延结构中部分p‑GaAs重掺层、p‑GaAs窗口层、p‑GaAs发射层、n‑GaAs基区层和n‑GaAs窗口层露出的n‑GaAs缓冲层;露出衬底的隔离槽形成在一子电池的下电极结构与相邻的上电极结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的