[发明专利]改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆有效
申请号: | 201310302432.3 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103579411A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 叶展宏;徐耀丰;郑世隆;罗秋梅;何思桦;徐文庆 | 申请(专利权)人: | 中美矽晶制品股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B28D5/00 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆,是先移除太阳能硅晶棒的两重工区域以保留一常态区域,然后从太阳能硅晶棒的常态区域分割出太阳能硅晶圆,并经由加热至一反应温度之后持温一反应时间的退火处理后形成本发明的太阳能硅晶圆,本发明的制造方法可有效提升太阳能硅晶圆的硬度及增加抗折强度,减少后续制程中产生硅晶圆裂痕或硅晶圆破片的问题,以增加制程良率及降低生产成本;并且,通过本发明制造方法所制得的太阳能硅晶圆可提高其光电转换效率,达到产生效能更好的太阳能电池的目的。 | ||
搜索关键词: | 改良 太阳能 硅晶圆 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法,其特征在于:按下述步骤进行:一、提供一太阳能硅晶棒;二、移除该太阳能硅晶棒的两重工区域以保留一常态区域;三、对该太阳能硅晶棒的该常态区域进行切片处理,以形成至少一个太阳能硅晶圆;四、将该些太阳能硅晶圆放置于一高温设备中,并将该些太阳能硅晶圆进行退火处理:加热升温至一反应温度之后持温一反应时间,之后进行降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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