[发明专利]一种应用于硅腐蚀的固定装置有效
| 申请号： | 201310295832.6 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104299937B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张忠华 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于硅腐蚀的固定装置，所述固定装置包括第一片架和第二片架以及用于连接所述第一片架和所述第二片架的连接装置，所述第一片架内侧固接有第一卡合装置，所述第二片架内侧固接有第二卡合装置，所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分，所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时，通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片，以减少所述硅片与所述第一卡合装置和所述第二卡合装置的接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 腐蚀 固定 装置 | ||
【主权项】：
一种应用于硅腐蚀的固定装置，所述固定装置包括第一片架和第二片架以及用于连接所述第一片架和所述第二片架的连接装置，其特征在于，所述第一片架内侧固接有第一卡合装置，所述第二片架内侧固接有第二卡合装置，所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分，所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分，在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时，通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片，以减少所述硅片与所述第一卡合装置和所述第二卡合装置的接触面积；第一片架包括第一底柱，所述第一底柱与水平面具有第一倾角；第二片架包括第二底柱，所述第二底柱与水平面具有第二倾角，所述第一倾角与所述第二倾角相互对应，以使所述固定装置向一侧倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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