[发明专利]利用第一和第二电阻式传感器偏置电平检测头‑盘接触和/或间隙有效
| 申请号： | 201310293831.8 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103578485B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | M·T·约翰逊;M·C·艾纳亚杜弗瑞斯恩;郑譞;D·刘 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/23 | 分类号： | G11B5/23 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用第一和第二电阻式传感器偏置电平检测头盘接触和/或间隙。将偏置信号施加至靠近磁传感器的磁介质读取表面定位的电阻式热传感器。偏置信号在第一和第二偏置电平之间被调制。测量对应于第一和第二偏置电平的电阻式热传感器的第一和第二电阻。基于由随着磁头更靠近介质在磁传感器与介质之间的热导率的增加引起的第一和第二电阻之间的差异，确定磁传感器与介质之间的间距和接触中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 第一 第二 电阻 传感器 偏置 电平 检测 接触 间隙 | ||
【主权项】：
一种用于数据存储的装置，包括：偏置电路，被配置成将经调制的DC偏置信号施加至电阻式热传感器，所述电阻式热传感器靠近磁传感器的介质读取表面设置，所述偏置信号在第一和第二偏置电平之间被调制；以及控制器，所述控制器被配置成：测量对应于第一和第二偏置电平的电阻式热传感器的第一和第二电阻；以及根据用于调节磁传感器和介质之间的间距的加热器功率、基于第一和第二电阻之间的差异，确定磁传感器和介质之间的间距和接触中的至少一个，所述差异由随着磁传感器更靠近介质在磁传感器和介质之间的热导率的增加引起，且其中所述差异独立于热电阻的热系数和电阻式热传感器的冷电阻而确定电阻式热传感器和介质之间的热导率变化。
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