[发明专利]一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法无效
| 申请号： | 201310283507.8 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104276603A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 高彦峰;陈石;曹传祥;罗宏杰;戴雷;金平实 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G31/02 | 分类号： | C01G31/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法，通过调节用于制备二氧化钒薄膜的二氧化钒粉体的带隙来调节二氧化钒薄膜的带隙，所述方法包括：制备带隙可调的二氧化钒粉体：在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素以使获得的化学组成为V1-xMxO2的二氧化钒粉体的光学带隙在0.6～4.0eV之间连续可调，其中，0<x≤0.5，掺杂元素M为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟或铁；以及制备带隙可调的二氧化钒薄膜：将包含所述带隙可调的二氧化钒粉体的分散液涂覆于衬底上以获得光学带隙在0～4.0eV连续可调的带隙可调的二氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法，其特征在于，通过调节用于制备二氧化钒薄膜的二氧化钒粉体的带隙来调节二氧化钒薄膜的带隙，所述方法包括：制备带隙可调的二氧化钒粉体：在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素以使获得的化学组成为V1‑xMxO2 的二氧化钒粉体的光学带隙在0～4.0eV之间连续可调，其中，0<x≤0.5，掺杂元素M为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟或铁；以及制备带隙可调的二氧化钒薄膜：将包含所述带隙可调的二氧化钒粉体的分散液涂覆于衬底上以获得光学带隙在0～4.0eV连续可调的带隙可调的二氧化钒薄膜。
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