[发明专利]二极管串有效
| 申请号： | 201310266159.3 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531585B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | K.多曼斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,王忠忠 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 二极管串。提供了器件和方法，其中在阱中提供二极管串并且用施加到二极管串的端子的电压之间的中间电压将阱偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一极性的半导体阱，其被布置在不同于所述第一极性的第二极性的衬底内；第一二极管结构，其被提供在所述半导体阱中；第二二极管结构，其被提供在所述半导体阱中，所述第一二极管结构和所述第二二极管结构被串联地耦合；以及偏置电路，其被配置为向所述半导体阱施加偏置电压，所述偏置电压取决于施加到所述第一二极管结构的第一电压和施加到所述第二二极管结构的第二电压并且所述偏置电压在所述第一电压和所述第二电压之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
