[发明专利]一种活性纳米级单晶二氧化硅有效

专利信息
申请号: 201310260665.1 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103804958A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 许荣 申请(专利权)人: 上海那博新材料科技有限公司
主分类号: C09C1/28 分类号: C09C1/28;C09C3/04;C09C3/06;C09C3/08;C09C3/10;C08K9/06;C08K9/04;C08K9/02;C08K3/36
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 金碎平
地址: 201822 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种活性纳米级单晶二氧化硅,其特征在于,单晶二氧化硅的加工过程为:1)粗旷筛选,水性环境,水洗、酸洗、中和处理PH值控制在4~10,去处矿石表面杂质单晶粗粉碎,2)干式粉碎,线速度6m/s~25m/s,空气压力2~18公斤;3)单晶分级工艺,干式分级单晶精研磨工艺;4)湿法粉碎,中性水性环境,不破坏单晶形貌的条件下进行分散处理纳米级研磨,对颗粒进行最终细度加工,使其达到纳米级10~800纳米,使其比表面积最大化,以达到易分散效果纳米级颗粒成型加工,最终颗粒外形处理抛光,使其表面活性更大,更易于橡胶结合成型;5)纳米表面加工,纳米活性处理,液体加工成粉体。
搜索关键词: 一种 活性 纳米 级单晶 二氧化硅
【主权项】:
一种活性纳米级单晶二氧化硅,其特征在于,单晶二氧化硅的加工过程为:1)粗旷筛选,水性环境 ,水洗、酸洗、中和处理 PH值控制在 4~10,去处矿石表面杂质单晶粗粉碎, 2)干式粉碎,线速度 6m/s~25m/s,空气压力 2~18公斤;3)单晶分级工艺,干式分级单晶精研磨工艺;4)湿法粉碎,中性水性环境,不破坏单晶形貌的条件下进行分散处理纳米级研磨,对颗粒进行最终细度加工,使其达到纳米级 10~800纳米                  使其比表面积最大化,以达到易分散效果纳米级颗粒成型加工, 最终颗粒外形处理抛光,使其表面活性更大,更易于橡胶结合成型;5)纳米表面加工,纳米活性处理,液体加工成粉体,并使粉体表面二次活性处理 ,表现出更优异的活性及易分散性 ,一旦于橡胶结合,则能完全表现出单晶纳米二氧化硅的各个优异特性, 极易分散,超高添加比例,耐酸耐碱,耐高温,超耐磨。
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