[发明专利]用于制备外延纹理厚膜的系统和方法无效
申请号: | 201310260287.7 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN103354204A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | J·S·伊姆 | 申请(专利权)人: | 纽约市哥伦比亚大学理事会 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B29/06;C30B13/24;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开涉及用于制备外延纹理厚膜的系统和方法。所公开的主题涉及薄膜的激光结晶的使用,以产生外延纹理结晶厚膜。在一个或多个实施方式中,用于制备厚结晶膜的方法包括:提供用于在衬底上结晶的膜,其中衬底的至少一部分对于激光照射实质上是透明的,所述膜包括具有主表面结晶取向的籽晶层以及在籽晶层之上布置的顶层;使用脉冲激光器从衬底的背面照射该膜,以在与籽晶层的界面处熔化顶层的第一部分同时籽晶层的第二部分保持固态;以及重新凝固顶层的第一部分,以形成以籽晶层外延的结晶激光,从而释放热来熔化顶层的相邻部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 外延 纹理 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制备结晶膜的方法,包括:提供用于在衬底上结晶的膜,其中所述衬底的至少一部分对于激光照射是透明的,所述膜包括:(a)籽晶层,其具有主表面结晶取向;以及(b)顶层,其布置在所述籽晶层之上;使用脉冲激光器从所述衬底的背面照射所述膜,以在与所述籽晶层的界面处熔化所述顶层的第一部分,同时所述顶层的第二部分保持固态;以及重新凝固所述顶层的所述第一部分,以形成以所述籽晶层外延的晶体层,从而释放热以熔化所述顶层的相邻部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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