[发明专利]固态成像装置及电子设备无效
| 申请号： | 201310258075.5 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103531599A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 丸山俊介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 赵国荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种固态成像装置，其包括：像素基板，其中配线层和半导体元件采用能够耐受形成光电转换层时的温度的配线材料形成；以及逻辑基板，其中形成半导体元件。该像素基板的配线层侧接合到该逻辑基板的后侧，在该光电转换层形成在该像素基板的后侧后，配线层形成在该逻辑基板中，使得该配线层设置在该像素基板的前侧，该光电转换层设置在该像素基板的后侧。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种固态成像装置，包括：像素基板，在该像素基板中配线层和半导体元件采用能够耐受形成光电转换层时的温度的配线材料形成；以及逻辑基板，在该逻辑基板中形成半导体元件，其中该像素基板的该配线层侧接合到该逻辑基板的后侧，并且，在该光电转换层形成在该像素基板的后侧后，配线层形成在该逻辑基板中，使得该配线层设置在该像素基板的前侧，该光电转换层设置在该像素基板的该后侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310258075.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反渗透水机在线检测控制器
- 下一篇：Vc二步发酵超滤弃渣液的深度脱水工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
