[发明专利]一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201310249039.2 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103311323A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;李晓强 | 申请（专利权）人： | 杭州格蓝丰纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310007 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒面结构；然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层；再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上；在p型硅层上制作背面电极；在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压，且可以降低太阳电池的串联电阻，提高输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/硅太阳电池，其特征在于自下而上依次有背面电极（1）、p型硅层（2）、n型硅层（3）、n型掺杂的石墨烯层（4）和正面电极（5），石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm‑2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
