[发明专利]一种真空断路器的灭弧室内真空度的检测方法

摘要

一种真空断路器的灭弧室内真空度的检测方法，首先使用场致发射电流Je，利用其产生的电子轰击脱附作用，使吸附量由σ1减少到σ0，然后再使用场致发射电流Je，利用其产生的离子捕集作用，使吸附量由σ0增加到σ1；吸附量的增加将导致触头材料功函数的增加，功函数的增加又引起场致发射电流Je的衰减，真空压强不同，发射电流的衰减速度就不同，公式=ΔJe/Δt，其中，ΔJe为场致发射电流Je的衰减量，Δt为衰减时间，故在Δje一定时，通过检测发射电流的衰减时间Δt就可以测量灭弧室内的真空度。本发明无需施加额外磁场，使得检测效率大大提高，其检测灵敏度高、效率高，且本发明能重复测量，进一步的提高了真空度检测的真实有效性。

主权项

一种真空断路器的灭弧室内真空度的检测方法，其步骤如下所述：1）在灭弧室内的真空间隙上施加一定的工频电压后，间隙之间产生场致发射电流Je；2）场致发射电流Je对分子吸附量产生离子捕集作用，即场致发射电流中的电子与残余气体分子发生碰撞，产生离子，离子在电场作用下移动形成离子流，离子流撞击触头表面，被表面捕获，导致吸附量由σ0增加到σ1；3）场致发射电流Je产生电子轰击脱附作用，即场致发射电流中的电子轰击触头表面，吸附分子被电子激发或分解而脱附，导致吸附量由σ1减少到σ0；4）首先使用场致发射电流Je，利用其产生的电子轰击脱附作用，使吸附量由σ1减少到σ0，然后再使用场致发射电流Je，利用其产生的离子捕集作用，使吸附量由σ0增加到σ1；5)步骤4中的吸附量的增加将导致触头材料功函数的增加，功函数的增加又引起场致发射电流Je的衰减，真空压强不同，发射电流的衰减速度就不同，公式=ΔJe/Δt，其中，ΔJe为场致发射电流Je的衰减量，Δt为衰减时间，故在Δje一定时，通过检测发射电流的衰减时间Δt就可以测量灭弧室内的真空度。