[发明专利]一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310247435.1 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103325433A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;李梦歌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 周政 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能单元包括衬底I、背电极、图形化的绝缘层和位于绝缘层上的金属电极对，以及定向排列在金属电极对间与衬底I接触的半导体性单壁碳纳米管；所述单壁碳纳米管的两端分别与两个金属电极形成欧姆接触，中间部分与衬底I接触形成PN结；辐射源包括衬底II和放射性同位素膜；所述辐射源和换能单元面对面对准封接在一起，二者接触的部位间电学隔离，所述放射性同位素膜和单壁碳纳米管位于封接形成的空腔内，所述衬底I上表面中的一个金属电极和背电极构成电池电极。该同位素电池具有体积小、结构简单，易于实现的特点，且转换效率较高，可以长时间工作于各种复杂的环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单壁碳 纳米 pn 同位素 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单壁碳纳米管PN结同位素电池，包括换能单元和辐射源两部分，其中：换能单元包括衬底I，位于衬底I背面的背电极，位于衬底I上表面图形化的绝缘层和位于绝缘层上的金属电极对，以及定向排列在金属电极对间与衬底I接触的半导体性单壁碳纳米管；所述金属电极对采用功函数高于单壁碳纳米管费米能级的金属；所述单壁碳纳米管的两端分别与两个金属电极形成欧姆接触，中间部分与衬底I接触形成PN结；辐射源包括衬底II和淀积在衬底II上的放射性同位素膜；所述辐射源和换能单元面对面对准封接在一起，二者接触的部位间电学隔离，所述放射性同位素膜和单壁碳纳米管位于封接形成的空腔内，所述衬底I上表面中的一个金属电极和背电极构成电池电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310247435.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
