[发明专利]一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器有效
| 申请号： | 201310247035.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103323796A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;田武刚;胡靖华;胡佳飞;赵建强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 作为 势垒层 mtj 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。
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