[发明专利]一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法

摘要

一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法，它涉及制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法，本发明要解决采用现有方法制备具有晶态性质的氧化铟薄膜时，存在设备价格高和制备过程复杂不易控制的问题。本发明中一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法按以下步骤进行：一、清洗基底材料，安装靶材，抽真空；二、反溅清洗基底材料；三、沉积氧化铟薄膜；四、加负偏压对已沉积氧化铟薄膜进行反溅轰击；五、重复步骤三和步骤四，直至此循环过程达到2次至8次；六、关闭所有电源，完成室温下晶态氧化铟透明导电薄膜的制备过程。本发明可应用于显示器和太阳能电池的电极。

主权项

一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法，其特征在于它是通过以下步骤实现的：步骤一、将PET基底材料用去离子水清洗15min至30min后，置于磁控溅射真空仓内的旋转载物台上，安装氧化铟陶瓷靶材，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空，其真空度为1.0×10‑4Pa至9.9×10‑4Pa；步骤二、向真空仓内通入氩气和氧气，氩气的通入量控制在50sccm至150sccm，氧气的通入量控制在10sccm至70sccm，当真空仓内气体压强为5Pa至10Pa时，启辉反溅清洗10min至20min，反溅结束后，关闭氧气阀，保持氩气的通入量为50sccm至150sccm，用氩气清洗真空仓10min至30min；步骤三、调节真空仓内气体压强为0.5Pa至1.2Pa，将加载在氧化铟陶瓷靶材的射频功率设定为20W至100W，预溅射5min至10min，开始沉积氧化铟薄膜，沉积时间为30min至120min；步骤四、溅射结束后，将加载在氧化铟陶瓷靶材的射频功率调节为零，关闭射频电源；将金属挡板置于靶与载物台之间，保持氩气流量为50sccm至150sccm，通入氧气，氧气流量为1sccm至10sccm，调节真空仓内气体压强为4Pa至7Pa，将50kHz的脉冲直流电压加在载物台上，并将其电压峰值调节至‑400V至‑1200V之间，设置其占空比为10%～90%，反溅时间为10min至30min后，拉开金属挡板；步骤五、重复步骤三和步骤四，直至此循环过程达到2次至8次；步骤六、关闭所有电源，完成室温下晶态氧化铟透明导电薄膜的制备过程。