[发明专利]一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法有效
| 申请号： | 201310246461.2 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103332649A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 安宁丽;方长青;郭彦峰;王权岱;张伟;刘少龙 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法，具体按照以下步骤实施，步骤1，制备金属电极层；步骤2，制备聚合物溶液；步骤3，旋涂聚合物层；步骤4，通过金属模具制备聚合物的预制结构；步骤5，聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列。直接将一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯制备在基底上，没有转移不便的问题，制备过程中采用电场驱动熔融聚合物流变拉伸，使材料在结构制备的过程中即获得了较好的压电性能，该工艺可用于制备俘能器和传感器的制备，解决了现有技术中直接在工作基底上制备具有压电性能的PVDF纳米线阵列，造成其转移不便和压电性能不好的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 结构 聚偏氟 乙烯 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维纳米线阵列结构聚偏氟乙烯的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施，步骤1，制备金属电极层（3）；步骤2，制备聚合物溶液；步骤3，旋涂聚合物层（4）；步骤4，通过金属模具（5）制备聚合物的预制结构；步骤5，聚合物预制结构在电场中拉伸形成纳米线阵列，即制得具有一维纳米线阵列结构的聚偏氟乙烯（6）。
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