[发明专利]一种高介电复合材料、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201310241687.3 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103289258A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 徐海萍;吴光褀;李晓龙 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/10;C08K7/00;C08K3/04;C08F14/22;C08F8/30 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201209 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高介电复合材料，其制备方法及用途，所述复合材料以聚偏氟乙烯做基体，以多壁碳纳米管做填料，采用铜酞菁齐聚物表面包覆多壁碳纳米管，并接枝聚偏氟乙烯，其中所述铜酞菁齐聚物在多壁碳纳米管和聚偏氟乙烯间起到柔性界面层作用以改善相间界面兼容性。本发明的高介电复合材料相比于未改性CNTs填充聚合物复合材料，柔性界面层铜酞菁齐聚物不仅可改善CNTs的分散性，同时改善有机/无机两相间的界面相容性，有利于界面极化的形成和传递，从而在提高介电常数同时降低材料的击穿场强，适用于制造用于电子线路板的高介电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 复合材料 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种高介电复合材料，其特征在于，所述复合材料以聚偏氟乙烯做基体，以多壁碳纳米管做填料，采用铜酞菁齐聚物表面包覆多壁碳纳米管，并接枝聚偏氟乙烯，其中所述铜酞菁齐聚物在多壁碳纳米管和聚偏氟乙烯间起到柔性界面层作用以改善相间界面兼容性。
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