[发明专利]一种改善热分布集中的超大功率光电器件在审
申请号: | 201310237730.9 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN104241412A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 王玮;蔡勇;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种改善热分布集中的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞,该等单胞相互串联或并联,且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联,且每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内,该区域相对较短边与相对较长边的比值>0.5,但≤1。本发明通过采用多胞设计,并将其中若干单胞并联形成单胞组,且使单胞组内的单胞排布在一个长宽比约为1的矩形内,进而使节温较高的单胞可向周围单胞传导热,使相邻单胞节温保持一致,避免节温较高的单胞成为热斑和热崩,从而有效提升大功率光电器件的工作性能,并延长其使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 分布 集中 超大 功率 光电 器件 | ||
【主权项】:
一种改善热分布集中的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞,该复数个单胞相互串联或并联,其特征在于,该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联,其中,每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内,所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5,但小于或等于1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的