[发明专利]一种MOCVD设备及其加热装置无效
申请号: | 201310225203.6 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN103305815A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 孙仁君 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;李友佳 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种加热装置及使用该加热装置的MOCVD设备,加热装置包括至少两个相互间隔的加热区,用于对应加热相对设置的衬底托盘,所述至少两个加热区具有面向同一侧的加热面,相邻加热区之间具有间隙,其特征在于,加热装置还包括隔热板,隔热板对应所述间隙设置,用于阻挡加热面一侧的热辐射通过所述间隙散失。本发明还提供具有这种加热装置的MOCVD设备,以解决在气相沉积工艺过程中,对位于加热装置上的衬底托盘进行薄膜沉积时,衬底托盘局部温度过低,导致衬底托盘加热不均匀出现的膜层厚度不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 及其 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种加热装置,所述加热装置包括至少两个相互间隔的加热区,用于对应加热相对设置的衬底托盘,所述加热区具有面向衬底托盘的加热面,相邻加热区之间具有间隙,其特征在于,加热装置还包括隔热板,所述隔热板对应所述间隙设置,用于阻挡加热面一侧的热辐射通过所述间隙散失。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的