[发明专利]Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法有效
申请号: | 201310223524.2 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN103307965A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 邵传兵;刘小雨 | 申请(专利权)人: | 山东禹城汉能光伏有限公司 |
主分类号: | G01B7/00 | 分类号: | G01B7/00;G01B7/32 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 251200 山东省德州*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法。目前,薄膜镂空采用SEM来测试镂空面积很困难,并且针对薄膜电池尺寸的SEM设备非常昂贵。为此,本发明公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置,包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置;所述检测装置包括探针组和用于实现所述探针组在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池在Y轴方向做往返运动的定位系统;所述探针组和电路系统形成闭合回路;所述显示装置与电路系统的输出端电连接。此外,本发明还公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测方法。本发明结构合理、成本较低、使用方便,能够测试出薄膜镂空的数量和面积。 | ||
搜索关键词: | si 薄膜 电池 pecvd 镂空 检测 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置,其特征在于:包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池(1)中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置;所述检测装置包括探针组(8)和用于实现所述探针组(8)在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池(1)在Y轴方向做往返运动的定位系统;所述探针组(8)和电路系统形成闭合回路;所述显示装置与电路系统的输出端电连接。
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