[发明专利]一种发光二极管的外延片有效
| 申请号： | 201310220372.0 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103346223A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;魏世祯;谢文明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为多周期结构，每个周期包括InxGa1-xN层和生长在所述InxGa1-xN层上的GaN层，所述应力释放层各周期结构中的InxGa1-xN层的厚度从下至上递增。本发明通过在n型层与多量子阱层之间设置应力释放层，该应力释放层是多周期结构，且应力释放层各周期结构中的InxGa1-xN层的厚度从下至上递增，可以逐步释放衬底与n型层之间积累的应力，提高了外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层与所述多量子阱层之间的应力释放层，所述应力释放层为多周期结构，每个周期包括InxGa1‑xN层和生长在所述InxGa1‑xN层上的GaN层，所述应力释放层各周期结构中的InxGa1‑xN层的厚度从下至上递增。
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