[发明专利]石墨烯的制备设备及制备方法有效
申请号: | 201310216803.6 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103276372A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 张为国;史浩飞;李占成;杜春雷 | 申请(专利权)人: | 重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C01B31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵;李玉秋 |
地址: | 401122 重庆市北*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明提供了一种石墨烯的制备设备及制备方法,该方法向真空度小于或等于1Torr的生长室中通入载气与碳源,利用线圈中交变电流电磁感应加热生长基体,生长石墨烯。与现有利用热传递或热辐射加热进行制备石墨烯相比,首先,本发明利用线圈中交变电流电磁感应在生长基体上产生涡旋电流,利用生长基体本身上的电流转化为热量,使得生长基体可迅速升温,同时断电后可迅速降温;其次,本发明无需对整个生长室加热,只需加热生长基体,而石墨烯是由生长基体附近碳源反应生成,因此,该方法能量利用率高;再次,本发明无需复杂而庞大的外围加热设备,系统结构简单,成本较低。 | ||
搜索关键词: | 石墨 制备 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯的制备设备,其特征在于,包括:供气系统;与所述供气系统相连接的生长室;与所述生长室相连接的抽真空装置;设置于所述生长室内的生长基体;缠绕于所述生长室外的线圈;与所述线圈相连通的交变电流源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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