[发明专利]聚合物厚膜导体组合物的光子烧结在审
| 申请号： | 201310190573.0 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103624987A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | V·阿兰西奥;J·R·多尔夫曼 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | B29C67/04 | 分类号： | B29C67/04;B22F1/00;B22F7/02;C09D11/106;C09D11/102 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明提供了使用聚合物厚膜导体组合物在电路中形成电导体的方法，所述方法包括使所述沉积的厚膜导体组合物经受光子烧结。本发明还提供了用于降低由聚合物厚膜导体组合物形成的电导体的阻抗的方法，所述方法包括使所述电导体经受光子烧结的步骤。本发明还提供了包含通过这些方法制成的电导体的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 导体 组合 光子 烧结 | ||
【主权项】：
用于在电路中形成电导体的方法，包括：a)提供基底；b)提供聚合物厚膜导体组合物，所述聚合物厚膜导体组合物选自聚合物厚膜焊料合金导体组合物、聚合物厚膜焊料合金/金属导体组合物、以及它们的混合物；c)将所述厚膜导体组合物施用到所述基底上；d)任选地干燥所述厚膜导体组合物；以及d)使所述厚膜导体组合物经受光子烧结以形成所述电导体。
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